硅碳棒从恒温至850℃前后电阻温度参数为负值(即温度升高,阻值变小),大于850℃为正向变化(即温度升高,阻值变大)。 因为硅碳棒在恒温下阻值较大,并且与高温阻值相应的比值扩散度较大,从而在室温下用万用表测得的硅碳棒内阻值是不标准的。
硅碳棒有一定的抗氧化性。当棒体温度达到800摄氏度时,表面开始发生氧化反应,随着温度的继续升高,硅碳棒会与空气生成SIO2保护层,从而阻碍硅碳棒的继续氧化。延长硅碳棒的使用寿命。保护层二氧化硅有一定的熔点,当棒体温度达到1600℃以上时,保护层会被破坏或发生脱落。使得硅碳棒继续氧化,继续使用还会在生成保护膜,因此硅碳棒元件建议连续使用且棒体温度不能过高,合理设计电炉及硅碳棒参数,正确的使用是使硅碳棒使用更长久的关键。
硅碳棒元件的接线方法,可采用并联、串联、角形、星形以及其它形式的接线方式;但是并联优越于串联,并联可以调节负荷不平衡的因素,而多支串联则加重了不平衡的因素,提高了工作电压。为了延长硅碳棒元件的寿命、应避免采用多支串联。